EBIC Amplifier用于对半导体样品，器件，微纳结构可进行EBIC,EBAC,RCI,EBIV和EBIRCH分析。通过MM3A/MM4将探针精确定位到探测位置，信号通过弱电流测量屏蔽套件（LCMK）传输到SEM/FIB视频输入端，并通过SEM/FIB成像。

EBIC Amplifier用于对半导体样品，器件，微纳结构可进行EBIC,EBAC,RCI,EBIV和EBIRCH分析。通过MM3A/MM4将探针精确定位到探测位置，信号通过弱电流测量屏蔽套件（LCMK）传输到SEM/FIB视频输入端，并通过SEM/FIB成像。

配置：

• EBIC Amplifier + MM3A-EMs + LCMK

• EBIC Amplifier + Prober Shuttle

EBIC Amplifier应用领域：

• 无损失效分析

• IC开路探测

• PN结观测

• 电阻变化定位

技术参数：

• 最小电流测量：15Fa

• 增益：10⁵ to 10¹² V/A

• 带宽：400Khz

• AC/DC 两种放大模式

• 输入电流补偿

• 图像反转模式

前道工序（front-end-of-line ：FEOL）中微缩晶体管，以及在中间工序（Middle-of-line：MOL）和后道工序（back-end-of-line：BEOL）中改进触点和连线则变得越来越困难。

FEOL涵盖了芯片有源部分的加工，即位于芯片底部的晶体管。晶体管作为电气开关，使用三个电极进行操作：栅极、源极和漏极。源极和漏极之间的导电通道中的电流可以被“开"和“关"，这一操作由栅极电压控制。

BEOL是加工的最后阶段，指的是位于芯片顶部的互连。互连是复杂的布线方案，它分配时钟和其他信号，提供电源和地，并将电信号从一个晶体管传输到另一个晶体管。BEOL由不同的金属层、局部(Mx)、中间线、半全局线和全局线组成。总层数可以多达15层，而Mx层的典型数量在3~6层之间。这些层中的每层都包含（单向）金属线（组织在规则的轨道中）和介电材料。它们通过填充有金属的通孔结构垂直互连。

FEOL和BEOL由MOL联系在一起。MOL通常由微小的金属结构组成，作为晶体管的源极、漏极和栅极的触点。这些结构连接到BEOL的局部互连层。虽然单元尺寸在微缩，但要连接到的引脚数量大致不变，意味着接触它们的难度更大。